型号:  DMN3008SCP10-7

功能描述:  MOSFET MOSFETBVDSS: 25V-30V

制造商:  Diodes Incorporated

制造商:  Diodes Incorporated

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  X4-DSN3415-10

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  30 V

Id-连续漏极电流:  14.6 A

Rds On-漏源导通电阻:  6.1 mOhms, 6.1 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1.3 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  31.3 nC, 31.3 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  2.7 W

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

封装:  Reel

晶体管类型:  2 N-Channel

商标:  Diodes Incorporated

下降时间:  858 ns, 858 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  314 ns, 314 ns

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  928 ns, 928 ns

典型接通延迟时间:  186 ns, 186 ns