型号: DMN3012LFG-7
功能描述: MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
制造商: Diodes Incorporated
制造商: Diodes Incorporated
产品种类: MOSFET
技术: Si
通道数量: 2 Channel
晶体管极性: N-Channel, NPN
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 20 A
Rds On-漏源导通电阻: 10.5 mOhms, 5.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V, 750 mV
Vgs - 栅极-源极电压: 5 V
Qg-栅极电荷: 4.7 nC, 9.7 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.2 W
配置: Dual
通道模式: Enhancement
晶体管类型: 2 N-Channel
商标: Diodes Incorporated
下降时间: 2.3 ns, 2.9 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 2.7 ns, 3.5 ns
工厂包装数量: 1000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 6.4 ns, 12.4 ns
典型接通延迟时间: 5.1 ns, 4.4 ns
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