型号:  DMN3016LK3-13

功能描述:  MOSFET 30V N-Ch Enh 30Vds 20Vgs 1415pF 25.1nC

制造商:  Diodes Incorporated

制造商:  Diodes Incorporated

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  TO-252-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  30 V

Id-连续漏极电流:  37.8 A

Rds On-漏源导通电阻:  16 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1.3 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  25.1 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  2.8 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  2.29 mm

长度:  6.1 mm

产品:  Enhancement Mode MOSFET

系列:  DMN3016

晶体管类型:  1 N-Channel

类型:  Enhancement Mode MOSFET

宽度:  6.58 mm

商标:  Diodes Incorporated

正向跨导 - 最小值:  -

下降时间:  5.6 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  16.5 ns

工厂包装数量:  2500

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  26.1 ns

典型接通延迟时间:  4.8 ns

单位重量:  4 g