型号:  DMN3022LFG-7

功能描述:  MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V

制造商:  Diodes Incorporated

制造商:  Diodes Incorporated

产品种类:  MOSFET

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  PowerDI3333-8

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  30 V

Id-连续漏极电流:  15 A

Rds On-漏源导通电阻:  22 mOhms, 8 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1 V, 800 mV

Vgs - 栅极-源极电压:  10 V

Qg-栅极电荷:  3.7 nC, 8 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  1.96 W

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

封装:  Reel

商标:  Diodes Incorporated

下降时间:  1.9 ns, 2.4 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  1.8 ns, 2.5 ns

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  7.2 ns, 11.7 ns

典型接通延迟时间:  4.5 ns, 5.6 ns

单位重量:  44 mg