型号:  DMN3035LWN-7

功能描述:  MOSFET N-Ch 30V Dual Enh 30Vgss 0.77W 399pF

制造商:  Diodes Incorporated

制造商:  Diodes Incorporated

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  V-DFN3020-8

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  30 V

Id-连续漏极电流:  5.5 A

Rds On-漏源导通电阻:  45 mOhms, 45 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  9.9 nC, 9.9 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  1.78 W

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  0.8 mm

长度:  3 mm

产品:  Enhancement Mode MOSFET

系列:  DMN3035

晶体管类型:  2 N-Channel

类型:  Enhancement Mode MOSFET

宽度:  3 mm

商标:  Diodes Incorporated

正向跨导 - 最小值:  -

下降时间:  2 ns, 2 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  3.3 ns, 3.3 ns

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  10.6 ns, 10.6 ns

典型接通延迟时间:  3 ns, 3 ns