型号:  DMN3053L-13

功能描述:  MOSFET 30V N-Ch Enh FET 12Vgss 0.76W 676pF

制造商:  Diodes Incorporated

制造商:  Diodes Incorporated

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOT-23-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  30 V

Id-连续漏极电流:  4 A

Rds On-漏源导通电阻:  50 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  600 mV

Vgs - 栅极-源极电压:  12 V

Qg-栅极电荷:  7.3 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  1.2 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Reel

高度:  1 mm

长度:  3 mm

产品:  Enhancement Mode MOSFET

系列:  DMN3053

晶体管类型:  1 N-Channel

类型:  Enhancement Mode MOSFET

宽度:  1.4 mm

商标:  Diodes Incorporated

正向跨导 - 最小值:  -

下降时间:  32 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  5.5 ns

工厂包装数量:  10000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  152 ns

典型接通延迟时间:  2 ns

单位重量:  8 mg