型号: DMN30H4D1S-7
功能描述: MOSFET BVDSS: 251V-500V SOT23
制造商: Diodes Incorporated
包装: 标准卷带
系列: -
零件状态: 有源
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 300V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 430mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 4.5V，10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 4 欧姆 @ 300mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 4.8nC @ 10V
Vgs（最大值）: ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 174pF @ 25V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 360mW（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: SOT-23
封装/外壳: TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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