型号: DMN32D2LFB4
功能描述: MOSFET
制造商: Diodes Incorporated
制造商: Diodes Incorporated
产品种类: MOSFET
Id-连续漏极电流: 300 mA
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Rds On-漏源导通电阻: 1.2 Ohms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 10 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 350 mW
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DFN-3
商标: Diodes Incorporated
通道模式: Enhancement
配置: Single
最小工作温度: - 55 C
系列: DMN32D2
联系人：Alien
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联系人：李先生
电话：17080955875
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联系人：朱丽娜
电话：15989349634
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联系人：林炜东，林俊源
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联系人：唐伟,吕年英
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联系人：杨丹妮
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联系人：肖瑶，树平
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联系人：施小小
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