型号: DMN3731UFB4-7B
功能描述: MOSFET BVDSS: 25V-30V X2-DFN1006
制造商: Diodes Incorporated
包装: 标准卷带
系列: -
零件状态: 有源
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 1.2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 1.8V，4.5V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 460 毫欧 @ 200mA，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 0.95V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 5.5nC @ 4.5V
Vgs（最大值）: ±8V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 73pF @ 25V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 520mW（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: X2-DFN1006-3
封装/外壳: SC-101，SOT-883
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