型号: DMN4010LK3-13
功能描述: DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN4010LK3-13, 39 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
制造商: DiodesZetex
通道类型： N
最大连续漏极电流： 39 A
最大漏源电压： 40 V
最大漏源电阻值： 14.5 m0hms
最大栅阈值电压： 3V
最大栅源电压： -20 V、+20 V
封装类型： DPAK (TO-252)
安装类型： 表面贴装
晶体管配置： 单
引脚数目： 3
通道模式： 增强
最大功率耗散： 1.6 W
最低工作温度： -55 °C
最高工作温度： +150 °C
每片芯片元件数目： 1
长度： 6.7mm
高度： 2.39mm
宽度： 6.2mm
晶体管材料： Si
典型栅极电荷@Vgs： 37 nC @ 10 V
典型输入电容值@Vds： 1810 pF @ 20 V
典型关断延迟时间： 36 ns
典型接通延迟时间： 5.1 ns
尺寸： 6.7 x 6.2 x 2.39mm
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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