型号:  DMN5L06DWK-7

功能描述:  MOSFET Dual N-Channel

制造商:  Diodes Incorporated

制造商:  Diodes Incorporated

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOT-363-6

通道数量:  2 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  50 V

Id-连续漏极电流:  305 mA

Rds On-漏源导通电阻:  2 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:  490 mV

Vgs - 栅极-源极电压:  5 V

Qg-栅极电荷:  0.4 nC

最小工作温度:  - 65 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  250 mW

配置:  Dual

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  1 mm

长度:  2.2 mm

产品:  MOSFET Small Signal

系列:  DMN5L06

晶体管类型:  2 N-Channel

宽度:  1.35 mm

商标:  Diodes Incorporated

正向跨导 - 最小值:  200 mS

下降时间:  8.4 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  1.8 ns

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  14.4 ns

典型接通延迟时间:  2.1 ns

单位重量:  6 mg