型号: DMN5L06VK
功能描述: MOSFET
制造商: Diodes Incorporated
制造商: Diodes Incorporated
产品种类: MOSFET
Id-连续漏极电流: 280 mA
Vds-漏源极击穿电压: 50 V
Rds On-漏源导通电阻: 2 Ohms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 250 mW
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-563-6
商标: Diodes Incorporated
通道模式: Enhancement
配置: Dual
最小工作温度: - 55 C
系列: DMN5L06
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
联系人：杨丹妮
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联系人：肖瑶，树平
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联系人：周永萍
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Q Q:
