型号: DMN601WKQ-13
功能描述:
制造商: Diodes Incorporated
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 60V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2.5V @ 1mA
Vgs（最大值）： ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 50pF @ 25V
功率耗散（最大值）： 200mW（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 2 欧姆 @ 500mA，10V
工作温度： -65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： SOT-323
封装/外壳： SC-70，SOT-323
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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