型号: DMN6066SSS-13
功能描述: MOSFET MOSFET,N-CHANNEL 60V, 4.1A/- 5.0A
制造商: Diodes Incorporated
制造商: Diodes Incorporated
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SO-8
通道数量: 2 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 3.7 A
Rds On-漏源导通电阻: 48 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 5.4 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.56 W
配置: Dual
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
产品: MOSFET Small Signal
系列: DMN60
晶体管类型: 2 N-Channel
商标: Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值: 19.2 S
产品类型: MOSFET
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
单位重量: 74 mg
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