型号: DMN61D9UWQ-7
功能描述: MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
制造商: Diodes Incorporated
制造商: Diodes Incorporated
产品种类: MOSFET
技术: Si
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 340 mA
Rds On-漏源导通电阻: 1.2 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压: 500 mV
Vgs - 栅极-源极电压: 5 V
Qg-栅极电荷: 400 pC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 440 mW
配置: Single
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值: 200 mS
下降时间: 8.4 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 1.8 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 14.4 ns
典型接通延迟时间: 2.1 ns
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