型号:  DMN65D8LDW-7

功能描述:  MOSFET

制造商:  Diodes Incorporated

系列：  DMN

单位重量：  6 mg

最大工作温度：  + 150 C

最小工作温度：  - 55 C

技术：  Si

安装风格：  SMD/SMT

下降时间：  6.3 ns, 6.3 ns

典型接通延迟时间：  3.3 ns, 3.3 ns

上升时间：  3.2 ns, 3.2 ns

Vgs-栅极-源极电压：  20 V. 20 V

Pd-功率耗散：  300 mW

通道数量：  2 Channel

Id-连续漏极电流：  180 mA, 180 mA

Vds-漏源极击穿电压：  60 V, 60 V

晶体管类型：  2 N-Channel

RdsOn-漏源导通电阻：  8 Ohms

通道模式：  Enhancement

晶体管极性：  N-Channel

Qg-栅极电荷：  870 pC, 870 pC

Vgsth-栅源极阈值电压：  1 V, 1 V

典型关闭延迟时间：  12 ns, 12 ns

正向跨导-最小值：  80 mS, 80 mS

FET类型：  2 个 N 沟道（双）

FET功能：  逻辑电平门

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：  180mA

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：  6 欧姆 @ 115mA，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：  2V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  0.87nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  22pF @ 25V

功率-最大值：  300mW

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  6-TSSOP，SC-88，SOT-363

封装形式Package：  SOT-363

极性Polarity：  N-CH

漏源极击穿电压VDSS：  60V

连续漏极电流ID：  0.2A

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs