型号: DMN67D7L-13
功能描述: MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
制造商: Diodes Incorporated
制造商: Diodes Incorporated
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 210 mA
Rds On-漏源导通电阻: 1.5 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压: 800 mV
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Qg-栅极电荷: 821 pC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 570 mW
配置: Single
通道模式: Enhancement
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: Diodes Incorporated
下降时间: 5.6 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 3 ns
工厂包装数量: 10000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 7.6 ns
典型接通延迟时间: 2.8 ns
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：颜小姐
电话：13380394549
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：余婷婷
电话：13330993025
Q Q:
联系人：陈
电话：13682256111
Q Q:
联系人：易
电话：13480795355
Q Q:
