型号: DMN90H8D5HCT
功能描述:
制造商: Diodes Incorporated
FET类型: N 沟道
技术: MOSFET(金属氧化物)
DraintoSourceVoltage(Vdss): 900V
电流-连续漏极(Id)(25°C时): 2.5A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn): 10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值): 5V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 7.9nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值): 470pF @ 25V
Vgs(最大值): ±30V
功率耗散(最大值): 125W(Tc)
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值): 7 欧姆 @ 1A,10V
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3
无铅情况/RoHs: 否
联系人:陈晓玲
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联系人:谢先生
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联系人:Alien
联系人:林炜东,林俊源
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