型号: DMNH6065SPDWQ-13
功能描述: MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI506
制造商: Diodes Incorporated
包装: 标准卷带
系列: 汽车级，AEC-Q101
零件状态: 有源
FET 类型: 2 N-通道（双）
FET 功能: 标准
漏源电压（Vdss）: 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 27A（Tc）
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 65 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 9.5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 466pF @ 25V
功率 - 最大值: 2.4W（Ta），68W（Tc）
工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
封装/外壳: 8-PowerTDFN
供应商器件封装: PowerDI5060-8（R 类）
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