型号: DMP1100UCB4-7
功能描述:
制造商: Diodes Incorporated
系列： 汽车级，AEC-Q101
FET类型： P 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
DraintoSourceVoltage(Vdss)： 12V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 2.5A（Ta）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 1.3V，4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 800mV @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 14nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 820pF @ 6V
Vgs（最大值）： ±8V
功率耗散（最大值）： 670mW（Ta）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 83 毫欧 @ 3A，4.5V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 4-uFBGA，WLBGA
无铅情况/RoHs： 否
联系人：赵小姐
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Q Q:
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Q Q:
