型号: DMP2012SN
功能描述: MOSFET
制造商: Diodes Incorporated
制造商: Diodes Incorporated
产品种类: MOSFET
Id-连续漏极电流: 700 mA
Vds-漏源极击穿电压: - 20 V
Rds On-漏源导通电阻: 300 mOhms
晶体管极性: P-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 12 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 500 mW
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
商标: Diodes Incorporated
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 20 ns
最小工作温度: - 65 C
上升时间: 20 ns
系列: DMP2012
典型关闭延迟时间: 55 ns
典型接通延迟时间: 5 ns
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：蔡经理，张小姐
电话：13378422395
Q Q:
联系人：林先生
电话：15913992480
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：杨晓芳
电话：13430590551
Q Q:
联系人：吕年英
电话：13510558532
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：陈军宇
电话：15914026290
Q Q:
联系人：宁佐彪
电话：13437393817
Q Q:
联系人：王小姐
电话：15099911282
Q Q:
