型号: DMP2065UFDB-7
功能描述:
制造商: Diodes Incorporated
FET类型： 2 个 P 沟道
FET功能： 标准
漏源极电压（Vdss）： 20V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 4.5A（Ta）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 50 毫欧 @ 2A，4.5V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 1V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 9.1nC @ 4.5V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 752pF @ 15V
功率-最大值： 1.54W
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： U-DFN2020-6（B 类）
无铅情况/RoHs： 否
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