型号: DMP2109UVT-13
功能描述: MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26
制造商: Diodes Incorporated
包装: 标准卷带
系列: -
零件状态: 有源
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 3.7A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 2.5V，4.5V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 80 毫欧 @ 2.8A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 6nC @ 4.5V
Vgs（最大值）: ±10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 443pF @ 10V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 1.2W（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TSOT-26
封装/外壳: SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
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