型号:  DMP21D0UFB-7B

功能描述:  MOSFET 20V P-Ch Enh FET Pd .43W -8Vgss -5.0A

制造商:  Diodes Incorporated

制造商:  Diodes Incorporated

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  X1-DFN1006-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  20 V

Id-连续漏极电流:  770 mA

Rds On-漏源导通电阻:  960 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  700 mV

Vgs - 栅极-源极电压:  8 V

Qg-栅极电荷:  1.5 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  430 mW

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

高度:  0.5 mm

长度:  1 mm

产品:  MOSFET

系列:  DMP21D0UFB

晶体管类型:  1 P-Channel, ESD

宽度:  0.6 mm

商标:  Diodes Incorporated

正向跨导 - 最小值:  50 mS

下降时间:  18.5 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  8 ns

工厂包装数量:  10000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  31.7 ns

典型接通延迟时间:  7.1 ns