型号:  DMP3099L-13

功能描述:  MOSFET P-Ch ENH FET -30V 65mOhm -10V -3.8A

制造商:  Diodes Incorporated

制造商:  Diodes Incorporated

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOT-23-3

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  30 V

Id-连续漏极电流:  3.8 A

Rds On-漏源导通电阻:  65 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  11 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  1.08 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Reel

系列:  DMP3099

晶体管类型:  1 P-Channel

商标:  Diodes Incorporated

下降时间:  15 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  5 ns

工厂包装数量:  10000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  31 ns

典型接通延迟时间:  4.8 ns

单位重量:  8 mg