型号:  DMP32D4S-13

功能描述:  MOSFET P-Ch ENH FET -30V 2.4mOhm -10V -300mA

制造商:  Diodes Incorporated

制造商:  Diodes Incorporated

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SOT-23-3

晶体管极性:  P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  30 V

Id-连续漏极电流:  300 mA

Rds On-漏源导通电阻:  2.4 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:  2.4 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  1.2 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  540 mW

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

系列:  DMP32

商标:  Diodes Incorporated

正向跨导 - 最小值:  6 S

下降时间:  21.9 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  11.5 ns

工厂包装数量:  10000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  31.8 ns

典型接通延迟时间:  9.86 ns

单位重量:  8 mg