型号:  DMP56D0UFB-7

功能描述:  MOSFET P-CH ENHANCEMENT 6Ohm -50V -200mA

制造商:  Diodes Incorporated

制造商:  Diodes Incorporated

产品种类:  MOSFET

RoHS:  是

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  X1-DFN1006-3

晶体管极性:  P-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  50 V

Id-连续漏极电流:  200 mA

Rds On-漏源导通电阻:  6 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压:  1.2 V

Vgs - 栅极-源极电压:  8 V

Qg-栅极电荷:  580 pC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  425 mW

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

系列:  DMP56

商标:  Diodes Incorporated

正向跨导 - 最小值:  100 mS

下降时间:  15 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  6.63 ns

工厂包装数量:  3000

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  21.9 ns

典型接通延迟时间:  4.46 ns