型号: DMP6050SFG-7
功能描述:
制造商: Diodes Incorporated
FET类型: P 沟道
技术: MOSFET(金属氧化物)
电流-连续漏极(Id)(25°C时): 4.8A(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn): 4.5V,10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值): 3V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 24nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值): 1293pF @ 30V
Vgs(最大值): ±20V
功率耗散(最大值): 1.1W(Ta)
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值): 50 毫欧 @ 5A,10V
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 8-PowerWDFN
封装形式Package: PowerDI
极性Polarity: P-CH
漏源极击穿电压VDSS: 60V
连续漏极电流ID: 4.8A
无铅情况/RoHs: 否
联系人:唐伟,吕年英
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联系人:肖瑶,树平
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