型号: DMP6050SFG-7
功能描述:
制造商: Diodes Incorporated
FET类型： P 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 4.8A（Ta）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 4.5V，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 3V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 24nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 1293pF @ 30V
Vgs（最大值）： ±20V
功率耗散（最大值）： 1.1W（Ta）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 50 毫欧 @ 5A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-PowerWDFN
封装形式Package： PowerDI
极性Polarity： P-CH
漏源极击穿电压VDSS： 60V
连续漏极电流ID： 4.8A
无铅情况/RoHs： 否
联系人：吕年英
电话：13510558532
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：陈玲玲
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Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
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Q Q:
联系人：夏
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Q Q:
