型号: DMPH3010LK3-13
功能描述:
制造商: Diodes Incorporated
FET类型: P 沟道
技术: MOSFET(金属氧化物)
DraintoSourceVoltage(Vdss): 30V
电流-连续漏极(Id)(25°C时): 50A(Tc)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn): 4.5V,10V
不同Id时的Vgs(th)(最大值): 2.1V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值): 139nC @ 10V
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值): 6807pF @ 15V
Vgs(最大值): ±20V
功率耗散(最大值): 3.9W(Ta)
不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值): 7.5 毫欧 @ 10A,10V
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
无铅情况/RoHs: 否
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