型号: DMPH6050SSD-13
功能描述: MOSFET Dual P-Ch 60V 5.2A Enhanc. SOIC8
制造商: DiodesZetex
通道类型: P
最大连续漏极电流: 5.2 A
最大漏源电压: 60 V
最大漏源电阻值: 60 m0hms
最大栅阈值电压: 3V
最小栅阈值电压: 1V
最大栅源电压: ±20 V
封装类型: SOIC
安装类型: 表面贴装
引脚数目: 8
通道模式: 增强
类别: 直流/直流转换器
最大功率耗散: 1.5 W
高度: 1.5mm
正向二极管电压: 1.2V
最低工作温度: -55 °C
尺寸: 4.95 x 3.95 x 1.5mm
每片芯片元件数目: 2
宽度: 3.95mm
汽车标准: AEC-Q101
系列: DMP
典型栅极电荷@Vgs: 30.6 @ 10 V nC
典型输入电容值@Vds: 1525 pF @ -30 V
典型关断延迟时间: 79.2 ns
典型接通延迟时间: 5.3 ns
最高工作温度: +175 °C
长度: 4.95mm
无铅情况/RoHs: 无铅/符合RoHs
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