型号:  DMS2120LFWB-7

功能描述:  MOSFET

制造商:  Diodes Incorporated

系列：  DMS

单位重量：  37.400 mg

高度：  0.78 mm

长度：  3 mm

宽度：  2 mm

最大工作温度：  + 150 C

最小工作温度：  - 55 C

安装风格：  SMD/SMT

配置：  Single Dual Drain

Vgs-栅极-源极电压：  12 V

Pd-功率耗散：  1.5 W

通道数量：  1 Channel

Id-连续漏极电流：  - 2.9 A

Vds-漏源极击穿电压：  - 20 V

晶体管类型：  1 P-Channel

RdsOn-漏源导通电阻：  95 mOhms

通道模式：  Enhancement

晶体管极性：  P-Channel

FET类型：  P 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：  2.9A（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：  1.8V，4.5V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：  1.3V @ 250µA

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  632pF @ 10V

Vgs（最大值）：  ±12V

FET功能：  肖特基二极管（隔离式）

功率耗散（最大值）：  1.5W（Ta）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：  95 毫欧 @ 2.8A，4.5V

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  8-VDFN裸露焊盘

封装形式Package：  DFN

极性Polarity：  P-CH

漏源极击穿电压VDSS：  20V

连续漏极电流ID：  2.9A

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs