型号:  DMS3012SFG-7

功能描述:  N-Channel 30 V 10 mOhm Enhancement Mode Mosfet -POWERDI 3333-8

制造商:  Diodes Incorporated

FET类型：  N 沟道

技术：  MOSFET（金属氧化物）

DraintoSourceVoltage(Vdss)：  30V

电流-连续漏极（Id）（25°C时）：  12A（Ta）

驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：  4.5V，10V

不同Id时的Vgs（th）（最大值）：  2.5V @ 250µA

不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：  14.7nC @ 10V

不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：  4310pF @ 15V

Vgs（最大值）：  ±20V

FET功能：  肖特基二极管（体）

功率耗散（最大值）：  890mW（Ta）

不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：  10 毫欧 @ 13.5A，10V

工作温度：  -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：  表面贴装

封装/外壳：  8-PowerWDFN

封装形式Package：  PowerDI

极性Polarity：  N-CH

漏源极击穿电压VDSS：  3V

连续漏极电流ID：  12A

无铅情况/RoHs：  无铅/符合RoHs