型号:  DMT10H025SK3-13

功能描述:  MOSFET MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R 2.5K

制造商:  Diodes Incorporated

制造商:  Diodes Incorporated

产品种类:  MOSFET

技术:  Si

安装风格:  SMD/SMT

封装 / 箱体:  SO-8

通道数量:  1 Channel

晶体管极性:  N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:  100 V

Id-连续漏极电流:  7.4 A

Rds On-漏源导通电阻:  23 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:  2 V

Vgs - 栅极-源极电压:  20 V

Qg-栅极电荷:  21.4 nC

最小工作温度:  - 55 C

最大工作温度:  + 150 C

Pd-功率耗散:  12.9 W

配置:  Single

通道模式:  Enhancement

封装:  Cut Tape

封装:  MouseReel

封装:  Reel

商标:  Diodes Incorporated

下降时间:  13.7 ns

产品类型:  MOSFET

上升时间:  11.2 ns

工厂包装数量:  2500

子类别:  MOSFETs

典型关闭延迟时间:  27.5 ns

典型接通延迟时间:  8.2 ns

单位重量:  74 mg