型号: DMT12H090LFDF4-13
功能描述: MOSFET 101V~250V X2-DFN2020-6
制造商: Diodes Incorporated
包装: 标准卷带
系列: -
零件状态: 有源
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）: 115V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 3.4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 3V，10V
不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）: 90 毫欧 @ 3.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）: 6nC @ 10V
Vgs（最大值）: ±12V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）: 251pF @ 50V
FET 功能: -
功率耗散（最大值）: 900mW（Ta）
工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: X2-DFN2020-6
封装/外壳: 6-PowerXDFN
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