型号: DMT2004UFG-7
功能描述:
制造商: Diodes Incorporated
系列： 汽车级，AEC-Q101
FET类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
DraintoSourceVoltage(Vdss)： 24V
电流-连续漏极（Id）（25°C时）： 70A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）： 2.5V，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 1.45V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 53.7nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 1683pF @ 15V
Vgs（最大值）： ±12V
功率耗散（最大值）： 2.3W（Ta）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 5 毫欧 @ 12A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： 8-PowerVDFN
无铅情况/RoHs： 否
联系人：杨晓芳
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