型号: DMT3009LDT-7
功能描述: MOSFET 2N-CH 30V 30A V-DFN3030-8
制造商: Diodes Incorporated
FET类型： 2 N 沟道（双）非对称型
FET功能： 标准
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）： 11.1 毫欧 @ 14.4A，10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）： 3V @ 250µA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 20nC @ 15V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）： 1500pF @ 15V
功率-最大值： 1.2W
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： V-DFN3030-8（K类）
封装形式Package： VDFN
极性Polarity： N-CH
漏源极击穿电压VDSS： 30V
连续漏极电流ID： 30A
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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