型号: DMT43M8LFV-13
功能描述: MOSFET 40V N-Ch Enhance Mode
制造商: Diodes Incorporated
制造商: Diodes Incorporated
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PowerDI3333-8
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 87 A
Rds On-漏源导通电阻: 4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 44.4 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 45.4 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Reel
商标: Diodes Incorporated
下降时间: 9.6 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 8.6 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 24.9 ns
典型接通延迟时间: 5.5 ns
单位重量: 30 mg
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