型号: DMT6005LFG-7
功能描述: MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
制造商: Diodes Incorporated
制造商: Diodes Incorporated
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PowerDI-3333-8
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 18 A
Rds On-漏源导通电阻: 4.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 48.7 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.98 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Reel
晶体管类型: 1 N-Channel
商标: Diodes Incorporated
下降时间: 11 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 11.3 ns
工厂包装数量: 2000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 26 ns
典型接通延迟时间: 7.3 ns
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