型号: DMT6015LFV-7
功能描述:
制造商: Diodes Incorporated
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 9.5A（Ta），35A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 18.9nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±16V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 1103pF @ 30V
功率耗散（最大值）： 2.2W（Ta），30W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 16 毫欧 @ 10A，10V
工作温度： -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： PowerDI3333-8
封装/外壳： 8-PowerVDFN
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：吴先生，刘先生
电话：13975536999
Q Q:
联系人：李瑞
电话：18666667513
Q Q:
联系人：胡R
电话：83988330
Q Q:
