型号: DMT6018LDR-13
功能描述: MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
制造商: Diodes Incorporated
制造商: Diodes Incorporated
产品种类: MOSFET
技术: Si
封装 / 箱体: V-DFN3030-8
通道数量: 2 Channel
晶体管极性: N-Channel, NPN
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 8.8 A
Rds On-漏源导通电阻: 13 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Qg-栅极电荷: 13.9 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.9 W
配置: Dual
通道模式: Enhancement
晶体管类型: 2 N-Channel
商标: Diodes Incorporated
下降时间: 3.5 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 4.6 ns
工厂包装数量: 10000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 10.8 ns
典型接通延迟时间: 3.5 ns
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