型号: DMT6018LDR-13
功能描述: MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
制造商: Diodes Incorporated
制造商: Diodes Incorporated
产品种类: MOSFET
技术: Si
封装 / 箱体: V-DFN3030-8
通道数量: 2 Channel
晶体管极性: N-Channel, NPN
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 8.8 A
Rds On-漏源导通电阻: 13 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V
Qg-栅极电荷: 13.9 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.9 W
配置: Dual
通道模式: Enhancement
晶体管类型: 2 N-Channel
商标: Diodes Incorporated
下降时间: 3.5 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 4.6 ns
工厂包装数量: 10000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 10.8 ns
典型接通延迟时间: 3.5 ns
联系人：肖瑶，树平
电话：13926529829
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：陈晓玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：白杨
电话：18973594484
Q Q:
联系人：朱小姐
Q Q:
联系人：李嘉良
电话：18607632774
Q Q:
