型号: DMT7N65
功能描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：7A(Tc) 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：1.5Ω @ 3.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：142W(Tc) 类型：N沟道
制造商: 迪一
商品类型: MOS(场效应管)
漏源电压（Vdss）: 650V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）: 7A(Tc)
栅源极阈值电压: 4V @ 250uA
漏源导通电阻: 1.5Ω @ 3.5A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）: 142W(Tc)
类型: N沟道
联系人：郑小姐
电话：18188616613
Q Q:
联系人：李先生
电话：17080955875
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：林小姐
电话：13713988890
Q Q:
联系人：彭小姐
电话：135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回
Q Q:
联系人：梁小姐
电话：18126442734
Q Q:
联系人：Sam
Q Q:
联系人：苏琳琳
电话：13316961169
Q Q:
联系人：黄小姐
Q Q:
