型号: DMTH10H010SCT
功能描述: MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
制造商: Diodes Incorporated
制造商: Diodes Incorporated
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220AB-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 100 V
Id-连续漏极电流: 100 A
Rds On-漏源导通电阻: 9.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Qg-栅极电荷: 56.4 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 187 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Tube
系列: DMTH10H010
商标: Diodes Incorporated
下降时间: 29.5 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 22.5 ns
工厂包装数量: 50
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 44.8 ns
典型接通延迟时间: 18.6 ns
单位重量: 1.850 g
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：杨晓芳
电话：13430590551
Q Q:
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：樊勉
电话：17621743344
Q Q:
联系人：方工
Q Q:
联系人：华先生
电话：18923710014
Q Q:
联系人：章琴
电话：13545908391
Q Q:
