型号: DMTH3004LPSQ-13
功能描述:
制造商: Diodes Incorporated
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 22A（Ta），145A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 43.7nC @ 15V
Vgs（最大值）： +20V，-16V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 2370pF @ 15V
功率耗散（最大值）： 136W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 3.8 毫欧 @ 20A，10V
工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： PowerDI5060-8
封装/外壳： 8-PowerTDFN
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：罗先生
电话：19854773352
Q Q:
联系人：余先生，张先生
电话：13826514222
Q Q:
联系人：李小姐
电话：18098935727
Q Q:
联系人：王先生
电话：029-62908067
Q Q:
联系人：黄小姐
电话：13267216796
Q Q:
