型号: DMTH6010SK3-13
功能描述:
制造商: Diodes Incorporated
FET 类型： N 沟道
技术： MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）： 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 16.3A（Ta），70A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）： 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）： 36.3nC @ 10V
Vgs（最大值）： ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）： 1940pF @ 30V
功率耗散（最大值）： 3.1W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）： 8 毫欧 @ 20A，10V
工作温度： -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型： 表面贴装
供应商器件封装： TO-252
封装/外壳： TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
联系人：杨丹妮
电话：18124040553
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13360063783
Q Q:
联系人：陈玲玲
电话：18126117392
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：李先生
电话：18822854608
Q Q:
联系人：林炜东，林俊源
Q Q:
联系人：杜新平
电话：13480190692
Q Q:
联系人：郑小美
电话：18682458060
Q Q:
联系人：江小姐
电话：19967567717
Q Q:
