型号: DMTH6016LSD-13
功能描述: MOSFET Dual N-Ch 60V 7.6A Enhanc. SOIC8
制造商: DiodesZetex
通道类型： N
最大连续漏极电流： 7.6 A
最大漏源电压： 60 V
最大漏源电阻值： 28 m0hms
最大栅阈值电压： 2.5V
最小栅阈值电压： 1V
最大栅源电压： ±20 V
封装类型： SOIC
安装类型： 表面贴装
引脚数目： 8
通道模式： 增强
类别： 快速切换
最大功率耗散： 1.4 W
宽度： 3.95mm
典型接通延迟时间： 3.4 ns
典型关断延迟时间： 13 ns
典型输入电容值@Vds： 864 pF @ 30 V
典型栅极电荷@Vgs： 17 @ 10 V nC
系列： DMT
每片芯片元件数目： 2
最低工作温度： -55 °C
长度： 4.95mm
高度： 1.5mm
正向二极管电压： 1.2V
尺寸： 4.95 x 3.95 x 1.5mm
汽车标准： AEC-Q101
最高工作温度： +175 °C
无铅情况/RoHs： 无铅/符合RoHs
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