型号: DN2450N8-G
功能描述: Microchip Technology/分立半导体产品
制造商: Microchip Technology
数据列表： DN2450
PCN 组件/产地： Fab Site Addition 14/Aug/2014
标准包装： 2,000
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： -
包装： 带卷（TR）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 耗尽模式
漏源极电压（Vdss）： 500V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 230mA（Tj）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 10 欧姆 @ 300mA，0V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： -
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： -
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 200pF @ 25V
功率 - 最大值： 1.6W
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-243AA
供应商器件封装： TO-243AA（SOT-89）
其它名称： DN2450N8-G-NDDN2450N8-GTR
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