型号: DN2535N3-G-P003
功能描述: Microchip Technology/分立半导体产品
制造商: Microchip Technology
数据列表： DN2535
PCN 组件/产地： Fab Site Addition 14/Aug/2014 Fab Site Revision 07/Apr/2015
标准包装： 2,000
类别： 分立半导体产品
家庭： FET - 单
系列： -
包装： 带卷（TR）
FET 类型： MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能： 逻辑电平门
漏源极电压（Vdss）： 350V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）： 120mA（Tj）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）： 25 欧姆 @ 120mA，0V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）： -
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）： -
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）： 300pF @ 25V
功率 - 最大值： 1W
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-226-3，TO-92-3 标准主体
供应商器件封装： TO-92（TO-226）
联系人：刘先生
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电话：13926529829
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