型号: DN2625K6-G
功能描述: MOSFET 250V 3.3A DMOS
制造商: Microchip Technology
制造商: Microchip
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
商标: Microchip Technology
Id-连续漏极电流: 1.1 A
Vds-漏源极击穿电压: 250 V
Rds On-漏源导通电阻: 3.5 Ohms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
Qg-栅极电荷: 7.04 nC
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: QFN-14
封装: Tray
通道模式: Depletion
配置: Dual
下降时间: 20 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 20 ns
工厂包装数量: 490
典型关闭延迟时间: 10 ns
典型接通延迟时间: 10 ns
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