型号: DN3135N8
功能描述: MOSFET 350V 35Ohm
制造商: Microchip Technology
制造商: Microchip
产品种类: MOSFET
RoHS: 否
商标: Microchip Technology
Id-连续漏极电流: 135 mA
Vds-漏源极击穿电压: 350 V
Rds On-漏源导通电阻: 35 Ohms
晶体管极性: N-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.3 W
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-89-3
通道模式: Depletion
配置: Single
下降时间: 15 ns
最小工作温度: - 55 C
上升时间: 15 ns
工厂包装数量: 2000
典型关闭延迟时间: 15 ns
典型接通延迟时间: 10 ns
联系人：Freya
电话：13636653728
Q Q:
联系人：董先生
电话：18098996457
Q Q:
联系人：蔡小姐
电话：18129819897
Q Q:
联系人：Alien
Q Q:
联系人：肖瑶，树平
电话：17318082080
Q Q:
联系人：杨先生
电话：13352985419
Q Q:
联系人：木易
电话：13352985419
Q Q:
联系人：李旭全
电话：13480337336
Q Q:
联系人：李小姐
电话：15818562499
Q Q:
联系人：林先生
电话：13332910235
Q Q:
