型号: DN3535N8-G
功能描述: MOSFET 350V 10Ohm
制造商: Microchip Technology
制造商: Microchip
产品种类: MOSFET
RoHS: 是
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-89-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 350 V
Id-连续漏极电流: 230 mA
Rds On-漏源导通电阻: 10 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.6 W
配置: Single
通道模式: Depletion
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
产品: MOSFET Small Signal
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: FET
商标: Microchip Technology
下降时间: 20 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 20 ns
工厂包装数量: 2000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 20 ns
典型接通延迟时间: 15 ns
单位重量: 52.800 mg
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